去年10月海力士透露它将推出一个速度为820GB/s的12-Hi（层）HBM3 DRAM，并在ISSCC 2022（IEEE 国际晶体管电路讨论会）上亮相。细节尚不清楚，但会话的标题已经确认了速度和显存配置。它也是12层HBM3 内存，容量为196Gb (24GB)。这将通过TSV（through silicon via）自动校准和机器学习优化来实现。还不清楚的是这种类型的显存纸上原型，还是海力士打算推动大规模生产的东西。

海力士的第一个HBM3规格拥有5.2Gbit/s每个引脚 (665GB/s) 的数据速率，但仅在几个月后更新了23%至6.4Gbit/s (819GB/s)。最新的7Gbit/s显存将比10月21日曝光的HBM3提供额外10%的升级。

此外该公司还计划讨论采用T-coil的27 Gbps GDDR6，并拥有Merged-MUX TX、优化的WCK操作和替代数据汇流排。这样的显存甚至比三星的24Gbps还要快，三星现在正在提供样品。海力士的显存容量为16Gb，与三星的GDDR6和Micron的GDDR6X容量相同。