台积电和英特尔（Intel）公司宣布，作为双方公司长远高数值孔径合作案的框架内容，英特尔已向台积电下订业界首台 TWINSCAN EXE:5200 系统的订单；这是款具备 High-NA 的极紫外光（EUV）大量生产系统，每小时具备 200 片以上晶圆产能。

英特尔的远见和对 ASML High-NA EUV 的早期承诺，为其不断追求摩尔定律的绝佳证据。相比目前的 EUV 系统，台积电持续创新拓展 EUV 路线图，进一步降低复杂性、成本、周期时间和所需能量，提供驱动芯片产业下个 10 年所需要的良好经济规模延展性。

英特尔于去年 7 月Accelarated活动中宣布，其部署首款 High-NA 技术的计划，确立晶体管创新路线图发展。英特尔早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系统的首位买家，通过今日所宣布的新订购案，其合作关系将随着英特尔于 2025 年开始以高数值孔径 EUV 进行生产制造而延续下去。

英特尔执行副总裁技术开发事业部总经理 Ann Kelleher 博士指出，英特尔的重点就是保持半导体微影技术的领先地位，去年 Intel 持续不断地打造 EUV 专业知识和能力，通过与台积电的密切合作，我们将吸取 High-NA EUV 的高端析度图案化优势，作为延续摩尔定律的其中一个方式，并将我们追寻晶体管微缩的优良传统延续下去。

EXE 平台为 EUV技 术的演化步骤，其包含新颖的光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段。TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系统，与之前 EUV 机器所具备的 0.33 数值孔径镜片相比，提供精确度提升的 0.55 数值孔径，为更小的晶体管特徵提供更高的分辨率图案化，系统所具备的数值孔径结合其使用波长，决定了最小能够印制的特徵尺寸。

EUV 0.55 NA 为 2025 年开始的多个未来节点所设计，同时也是业界首次部署该技术，随之而来的将是具备相近密度的内存技术。在 2021 年的投资者关系日，台积电分享其 EUV 路线图规划，并表示 High-NA 技术有望自 2025 开始支持生产制造。