金融界2024年1月27日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括栅电极的三维半导体装置“，授权公告号CN109755302B，申请日期为2018年10月。

专利摘要显示，提供了一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括：主分离结构，设置在基底上，并在平行于基底的表面的第一方向上延伸；栅电极，设置在主分离结构之间；第一次级分离结构，穿透位于主分离结构之间的栅电极，并且包括具有彼此相对的端部的第一线性部分和第二线性部分；第二次级分离结构，设置在第一次级分离结构与主分离结构之间且穿透栅电极。第二次级分离结构在第二线性部分和主分离结构之间具有彼此相对的端部。

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