高通在前些天的骁龙810品鉴会上说骁龙810处理器不热，所有设计均符合预期。机身发热主要由于OEM厂商的内部结构和设计和对于骁龙810的软调策略自定义所导致的。本文将从骁龙810的制造工艺和实际表现下手，为您还原一颗真实的骁龙810。
智能手机迅速进入64位时代
我们先来回顾一下这款处理器：2013年9月伴随着苹果发布的iPhone 5S，其采用64位的Apple A7惊艳亮相，智能手机突然迎来64位时代，运行效率猛升一个台阶。与此同时手机处理器64位化的进程从此开启，那段时间很有趣，nVIDIA速度表示，Tegra K1 Denver也会有64bit版本，并且和苹果一样自主设计核心架构；三星也立刻拿出了线路图，表示在年底就会出样支持64位的产品，明年还会有自行设计的64位核心。
高通则逆势发表了一个声明，认为64位计算在手机上没有实际意义。很快高通就收回了自己的声明，表示我们也会尽快推出基于64位的产品，而先前发表64位无用论的高管则不幸被辞。可见高通公司内部意见的不统一，也可以侧面反映出对64位处理器并没有任何提前布局和短期规划。
64位时代高通乱了节奏
面对众竞争对手在2014年的压力，高通自己设计的核心又来不及，所以骁龙810就此诞生，被迫采用ARM Cortex的公版架构。但此前一直使用自主设计核心的高通，在使用ARM Cortex的公版架构上经验并不丰富，赶鸭子上架只为赶上停靠在八楼的“2路汽车”。
骁龙810今年4月7日被高通公司所发布,采用20nm台积电制造工艺,64位八核心设计，采用ARM公版四核Cortex-A57+四核Cortex-A53架构，GPU为Adreno 430。支持DX11.2、OpenGL ES 3.1、OpenCL1.2完整版，支持完整的H.265硬件解码。
骁龙810在还未正式量产时就传出测试版版过热的消息，后来高通承认问题存在并表示过热问题已经解决。随后第一波骁龙810大规模应用的机型LGG FLEX和HTCM9问世，两款机器均出现了机身过热，处理器降频较严重的现象。在这之后搭载骁龙810处理器机器的发热降频现象开始引起更多关注。
骁龙810姿势有点不对
骁龙810的问题极可能出在这两方面：
一，20nm台积电制造工艺
骁龙810是高通产品线上唯一一个应用了台积电 20nm工艺的产品。28nm在骁龙801上的大放异彩，TSMC很早就决定提前研发16nm节点，后者会是台积电首次引入三栅晶体管，也就是FinFet，简称FF的工艺节点。FF可能是近几年来半导体工艺里最大的突破之一，当然也是最大的一道槛，在当时只有Intel掌握，其他厂家都还在摸索。
TSMC认为提前研发16FF工艺，可以继续维持自己的领先优势，因此对于20nm工艺的态度显得非常随意，仅仅是28nm工艺的线宽缩小，并没有引入任何新的技术。一个没有引入任何新技术的工艺节点，仅仅缩小了线宽，能有多大的性能提升是可想而知的，就好比当年40LP工艺进化到28LP工艺一样。
而同时期的三星猎户座7420已经是基于自家FinFet 14nm制造工艺的作品了。退一步与三星上一代20nm工艺的Exynos 5433对比，功耗还是超出不少。高功耗就会过热，过热只能靠降频大法去控制。
二，自主设计旗舰产品后，首次采用ARM公版架构
ARM公版旗舰的近几年都是异构多核方案，高性能高功耗四个核心带上低性能低功耗四个核心，用这样的方式来解决高性能核心的感人功耗问题。 对于三星，nVIDIA这样的“老司机”，ARM公版架构已经经过很多代的实践，并在实践中慢慢积累经验，各方面的软件调测都相当成熟。
高通此前走的是小核高频策略，依靠小得多的Krait核心，配合接近2.5GHz的高频率，相对而言兼顾了效率和功耗。这一直以来是高通产品的竞争优势。高通此次运用ARM公版架构后这一优势自然也无法继续，加上对其调测经验不足，使得自身处境略显尴尬。
OEM厂商很无奈
高通最近是这样回答质疑的：“我们本身的产品是符合预期的，但是手机的发热涉及到很多因素。我们也反复表示这是要大家共同合作解决的问题。我们也是一直这么做的，和厂商和上游合作伙伴都一直在合作优化。”
我们来看看高通的“预期”：
为了打破大家对骁龙810处理器过热问题的担忧，高通官方曾放出了骁龙810的温度测试结果，其官方展示的数据显示，高通骁龙810的最高运行温度甚至比上代旗舰骁龙801还要低。
这是高通的测试机(MDP开发设备),测试是在这上面进行的。我们可以看到该测试样机的厚度远远超出了普通的旗舰手机，散热空间更大，甚至都可以塞进散热风扇。也就是说达到预期的表现是在这上面实现的。
其实骁龙810的实际表现众OEM厂商都是心知肚明的，但是市面上三星有”黑历史“，nVIDIA的功耗又居高不下，也就只剩下高通骁龙810这颗芯片可供顶级旗舰机选择。OEM厂商吃黄莲，有苦说不出。
我们用事实说话
我们用事实说话
我们选取三个手机厂商搭载骁龙801和骁龙810的机器各一台，使用中对处理器施以相同大的压力（不间断运行狂野飙车8 15分钟），游戏过程中每隔5分钟测试机身正面和背面的实时最高温度，并且记录游戏开始3分钟和结束前3分钟的游戏实际走时，侧面考察处理器降频对游戏流畅程度（平均帧数）的影响，游戏走时越接近三分钟代表游戏的平均帧数更高。废话不多说我们开始。
小米NOTE(801)
游戏第5分钟 正面39.3 背面37.3
游戏第10分钟 正面40.5 背面37.7
游戏第15分钟 正面40.2 背面38.1
CPU常闭两核 1.0Ghz-1.6Ghz 无明显降频
我们从第12分钟开始重新计时3分钟
游戏开始3分钟实际走时2分40秒
结束前3分钟实际走时2分39秒
努比亚Z7（801）
游戏第5分钟 正面40.8 背面41.1
游戏第10分钟 正面41.7 背面42.3
游戏第15分钟 正面42.5 背面42.6
CPU常闭一核 1.6Ghz-1.8Ghz 无明显降频
我们从第12分钟开始重新计时3分钟
游戏开始3分钟实际走时2分52秒
结束前3分钟实际走时2分53秒
一加1（801）
游戏第5分钟 正面37.2 背面37.4
游戏第10分钟 正面37.5 背面38.3
游戏第15分钟 正面38.7 背面38.9
CPU常闭两核 1.0Ghz-2.5Ghz 无明显降频
我们从第12分钟开始重新计时3分钟
游戏开始3分钟实际走时2分51秒
结束前3分钟实际走时2分52秒
小米NOTE顶配版（810）
游戏第5分钟 正面42.7 背面41.4
游戏第10分钟 正面41.8 背面40.6
游戏第15分钟 正面41.3 背面40.5
1到3分钟大核心锁两核 A53 0.3Ghz*4 A57 1.2Ghz-2.0Ghz *2 3到13分钟一个大核心轮休 13到15分钟A53 0.76Ghz-0.96Ghz*4 A57 0.86Ghz *2
结束前3分钟实际走时2分48秒
努比亚Z9（810）
游戏第5分钟 正面37.5 背面39.9
游戏第10分钟 正面38.1 背面39.7
游戏第15分钟 正面37.8 背面39.3
1到1分半钟大核心锁两核 A53 0.38Ghz*4 A57 1.2Ghz-1.3Ghz *2 1分半到4分半钟大核心再锁一个A53 1.56Ghz*4 A57 0.86Ghz-0.96Ghz *14分半到14分钟大核心全部锁死 A53 1.56Ghz*414到15分钟小核心逐渐降至1.0Ghz以下
结束前3分钟实际走时2分48秒
一加2（810）
游戏第5分钟 正面44.3 背面41.0
游戏第10分钟 正面45.7 背面41.6
游戏第15分钟 正面45.5 背面42.0
CPU全程锁大核心 A53 1.56Ghz*4
游戏开始3分钟实际走时2分54秒
结束前3分钟实际走时2分48秒
数据汇总
数据汇总
数据让我说
一，搭载骁龙801机器15分钟游戏后CPU无明显降频，根据游戏走时来看，性能几乎没有下降，且机身温度能控制在一个合理范围内。
二，搭载骁龙810机器15分钟游戏后高性能A57核心出现降频甚至锁死关闭的情况，最后阶段几乎要靠低性能A53核心来支撑游戏运行。根据游戏走时来看，游戏平均帧数（流畅度）下降比较明显。
这样的牺牲究其根本是为了控制住游戏刚开始时就已飙升到40多度的机身温度。我们看到一个有趣的现象，一加2从一开始就选择牺牲性能锁死四个A57大核心，但四个A53依然能让机身温度达到感人的46度。
三，游戏最后的3分钟，骁龙810表现出的性能和打酱油的MX5几乎一个水平，是要弱于801。如果游戏继续，相信差距会更明显。
四，骁龙810为了控制发热，限制了自身强大的性能未能对上代产品骁龙801完成超越。
五，图表中三家厂商搭载的骁龙810同时出现锁核心，过热降频的现象，可见问题的普遍性，并且前代旗舰搭载的骁龙801并未发生此现象。OEM厂商在发布会时都会讲，为了对付骁龙810的发热，我们重新设计了机身结构，提高了散热能力。在散热技术方面厂商其实在进步。
PS : 高通方面会将骁龙820的发布日期提前至今年年底，骁龙810有望成为高通最“短命”的旗舰SOC。
OEM厂商：“怪我喽？”■